苏州东微半导体股份有限公司

  1本年度报告摘要来自年度报告全文，为全方面了解本公司的经营成果、财务情况及未来发展规划，投资者应当到上海证券交易所（）网站仔细阅读年度报告全文。

  报告期内，受全球经济提高速度下行以及竞争格局加剧等多重因素的影响，公司产品营销售卖价格和毛利率会降低。同时，公司积极优化产品组合策略，进行工艺平台迭代升级，继续保持基本的产品高压超级结MOSFET销量的上升，但由于产品营销售卖价格的下降，致使公司报告期内营业收入较2022年同期出现下滑。此外，报告期内，公司进一步加大前瞻性研发投入力度，相应的材料、职工薪酬、研发设备及平台开发等研发投入均持续增长，亦对公司报告期经营业绩产生一定的影响。未来，如果市场之间的竞争持续加剧、宏观景气度下行、需求持续低迷、新增产能无法消化、国家产业政策变化、公司不能有效拓展国内外新客户、公司无法继续维系与现有客户的合作伙伴关系等情形，且公司未能及时采取一定的措施积极应对，将使公司面临一定的经营压力，存在业绩进一步下滑的风险。

  另外，公司已在本报告中描述可能存在的风险，敬请查阅“第三节管理层讨论与分析”之“四、风险因素”部分，敬请投资者注意投资风险。

  3本公司董事会、监事会及董事、监事、高级管理人员保证年度报告内容的真实性、准确性、完整性，不存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏，并承担个别和连带的法律责任。

  5天健会计师事务所（特殊普通合伙）为本公司出具了标准无保留意见的审计报告。

  1、公司拟以实施权益分派股权登记日登记的公司总股本扣减公司回购专用证券账户中股份为基数，向全体股东每10股派发现金红利人民币1.786元（含税）。截至2024年3月31日，公司总股本94,326,914股，扣除公司回购专用证券账户中股份数231,867股后的股本为94,095,047股，以此为基数计算合计拟派发现金红利16,805,375.39元（含税），本年度公司现金分红金额占2023年度合并报表中归属于母公司股东的净利润的比例为12.00%。根据《上市公司股份回购规则》《上海证券交易所上市公司自律监管指引第7号一一回购股份》等相关规定，上市公司以现金为对价，采用集中竞价方式、要约方式回购股份的，当年已实施的股份回购金额视同现金分红，纳入该年度现金分红的相关比例计算。公司2023年度以集中竞价交易方式实施股份回购并支付现金对价12,930,588.12元（不含印花税、交易佣金等交易费用），2023年度公司以上述两种方式合计现金分红金额为29,735,963.51元，占公司2023年度合并报表归属于上市公司股东的净利润的21.24%。

  2、公司拟以资本公积金向全体股东每10股转增3股。截至2024年3月31日，公司总股本94,326,914股，扣除公司回购专用证券账户中股份数231,867股后的股本为94,095,047股，以此为基数计算合计拟转增28,228,514股，转增后公司总股本增加至122,555,428股（最终转增股数及总股本数以中国证券登记结算有限公司上海分公司最终登记结果为准，如有尾差，系取整所致）。

  如在公司2023年度利润分配及资本公积金转增股本预案披露之日起至实施权益分派股权登记日期间公司总股本发生变动的，公司拟维持分配总额不变，相应调整每股分配金额；同时维持每股转增比例不变，相应调整转增总额，并将另行公告具体调整情况。

  以上2023年度利润分配及资本公积金转增股本预案已经公司第二届董事会第三次会议审议通过，尚需提交公司2023年年度股东大会审议。

  公司是一家以高性能功率器件研发与销售为主的技术驱动型半导体企业，产品专注于工业及汽车相关等中大功率应用领域。公司凭借优秀的半导体器件与工艺创造新兴事物的能力，集中优势资源聚焦新型功率器件的开发，是国内少数具备从专利到量产完整经验的高性能功率器件设计企业之一，并在应用于工业级及汽车级领域的高压超级结MOSFET、中低压功率器件等产品领域实现了国产化替代。公司基于自主专利技术开发出的650V、1200V及1350V等电压平台的多种TGBT器件，已批量进入光伏逆变、储能、直流充电桩、电机驱动等应用领域的多个头部客户。公司原创器件结构的基于18V~20V驱动平台的1200VSiCMOSFET产品具有低导通电阻、车规级高可靠性，已完成设计流片、可靠性评估工作。此外，公司基于自主专利技术开发出的Si2CMOSFET器件拥有极好的栅氧可靠性，同时具有优秀的反向恢复时间和反向恢复电荷，已通过多个客户验证并进入批量状态，能够适用于新能源汽车车载充电机、光伏逆变及储能、高效率通信电源、高效率服务器电源等领域。

  公司的基本的产品包括GreenMOS系列高压超级结MOSFET、SFGMOS系列及FSMOS系列中低压屏蔽栅MOSFET、TGBT系列IGBT产品以及SiC器件（含Si2CMOSFET）。公司的产品大范围的应用于以新能源汽车直流充电桩、车载充电机、5G基站电源及通信电源、数据中心服务器电源、储能和光伏逆变器、UPS电源和工业照明电源为代表的工业级应用领域，以及以PC电源、适配器、TV电源板、手机快速充电器为代表的消费电子应用领域。

  公司的高压超级结MOSFET产品主要为GreenMOS产品系列，全部采用超级结的技术原理，具有开关速度快、动态损耗低、可靠性高的特点及优势。

  公司的中低压MOSFET产品均采用屏蔽栅结构，最重要的包含SFGMOS产品系列以及FSMOS产品系列。其中，公司的SFGMOS产品系列采用自对准屏蔽栅结构，兼备了传统平面结构和屏蔽栅结构的优点，并具有更高的工艺稳定性、可靠性及更快的开关速度、更小的栅电荷和更高的应用效率等优点。公司SFGMOS系列中低压功率器件产品涵盖25V-250V工作电压，可大范围的应用于电机驱动、同步整流等领域。

  公司的FSMOS产品系列采用基于硅基工艺与电荷平衡原理的新型屏蔽栅结构，兼备普通VDMOS与分裂栅器件的优点，具有更高的工艺稳定性、可靠性、较低的导通电阻与器件的优值以及更高的应用效率与系统兼容性。

  公司的超级硅MOSFET产品是公司自主研发、性能对标氮化镓功率器件产品的高性能硅基MOSFET产品。公司的超级硅MOSFET产品通过调整器件结构、优化制造工艺，突破了传统硅基功率器件的速度瓶颈，在电源应用中达到了接近氮化镓功率器件开关速度的水平。非常适合于各种高密度高效率电源，包括光伏逆变及储能、直流充电桩、通信电源、工业照明电源、快速充电器、模块转换器、快充超薄类PC适配器、TV电源板等。

  公司的IGBT产品采用具有独立知识产权的TGBT器件结构，区别于国际主流IGBT技术的创新型器件技术，通过对器件结构的创新实现了关键技术参数的大幅优化，公司已有产品的工作电压范围覆盖600V-1350V，工作电流覆盖15A-200A。公司的TGBT系列IGBT功率器件已逐渐发展出低导通压降、电机驱动、软恢复二极管、逆导、高速和超高速等系列。其中，高速系列的开关频率可达100kHz；低导通压降系列的导通压降可降低至1.5V及以下；超低导通压降系列的导通压降可达1.2V以下；软恢复二极管系列则适用于变频电路及逆变电路；650V及1350V的逆导系列在芯片内部集成了续流二极管，同时实现了低导通压降与快速开关的特点，适合在高压谐振电路中使用。

  公司TGBT产品在不提高制造难度的前提下提升了功率密度，优化了内部载流子分布，调整了电场与电荷的分布，同时优化了导通损耗与开关损耗，具有高功率密度、开关损耗低、可靠性高、自保护等特点，非常适合于直流充电桩、变频器、储能逆变器、UPS电源、电机驱动、电焊机、光伏逆变器等领域。

  公司的SiC器件包括SiC二极管、SiCMOSFET、Si2CMOSFET等器件技术。其中，SiC二极管、SiCMOSFET全部使用了SiC衬底，充分的利用SiC宽禁带材料的耐高压和耐高温特性。Si2CMOSFET则部分使用了SiC衬底，减少了SiC材料的用量。Si2CMOSFET克服了传统SiCMOSFET成本高和Vth飘移的缺点，实现了高栅氧可靠性。同时还实现了接近SiCMOSFET优秀的反向恢复能力，能够取代一部分SiCMOSFET的应用。

  公司作为专业的半导体功率器件设计及研发企业，自成立以来始终采用Fabless的经营模式。Fabless模式指无晶圆厂模式，采用该模式的企业专注于芯片的研发设计与销售，将晶圆制造、封装、测试等生产环节外包给第三方晶圆制造和封装测试企业完成。

  公司产品的研发流程最重要的包含产品研究开发需求信息汇总、立项评估与可行性评估、项目设计开发、产品试制以及测试验证等四个环节。该四项环节主要由研发部、运营部等合作完成，同时，研发部质量团队会全程参与产品研发的所有环节，监督各环节的执行过程，以在全环节实现对产品质量的管控。公司已制定《产品研究开发管理程序》，产品研制流程严格遵守该制度约定流程，并通过产品生命周期管理系统来进行产品研究开发管控。

  公司根据各产品类型的市场需求与技术发展趋势制定技术路线图，并结合晶圆代工和封装厂商的实际制造能力、现有工艺和封测加工能力进行产品研究开发和设计工作。在产品研制设计过程中，公司同时关注并协助开发适合于晶圆厂和封装厂的工艺流程。同时，公司具备拥有深度定制开发的能力。在产品研制阶段，公司与晶圆代工厂深度合作、共同研发，通过多次反复实验调整，使代工厂的工艺能更好地实现公司所设计芯片的性能，最终推出极具性价比的产品，更好地贴合计算机显示终端的需求。通过对代工厂传统工艺的优化，公司有能力根据终端市场需求精确调整产品的设计。公司会与晶圆厂进行季度技术回顾与季度业务回顾，并陪同客户定期到晶圆厂进行审核。同时，晶圆厂也会定期向企业来提供制程能力管控数据及外观检测报告。同时，公司也会对封测厂进行定期稽核，召开QBR并要求提供CPK数据、封装良率及测试良率的报告。公司也会定期对厂家的管控计划提出意见，以保证产品质量。

  公司采购的内容主要为定制化晶圆制造、封装及测试服务，以及实验室设备的采购。在Fabless模式中，企业主要进行功率器件产品的研发、销售与质量管控，产品的生产采用委外加工的模式完成，即公司将自主研发设计的集成电路版图交由晶圆厂进行晶圆制造，随后将制造完成的晶圆交由封测厂进行封装和测试。公司的晶圆代工厂商和封装测试服务供应商均为行业有名的公司。公司成立了以质量部为核心的质量管理体系，有效提升了公司产品和服务的整体质量。企业具有研发部、运营部、销售部等多个业务部门，且各部门职能相对独立；同时，公司的质量部协助其他部门制定其操作规范、记录和整理日常的工作文档、监督和指导各部门的工作和质量控制流程，其贯穿产品研究开发、生产、运营和销售的整个过程。

  结合行业惯例和客户的真实需求情况，公司目前采用“经销加直销”的销售模式，即公司通过经销商销售产品，也向终端系统厂商直接销售产品。在经销模式下，公司与经销商的关系主要为买断式销售关系，公司将产品送至经销商或者经销商指定地点；在直销模式下，公司直接将产品销售给计算机显示终端，公司将产品送至客户指定地点。

  公司建立了完善的客户关系管理制度，对于长期合作客户，公司与其签订框架合作协议，并安排专员提供全方位服务；对其他客户，公司依据订单向其供货。半导体行业上下游之间粘性较强，公司产品需要通过较为严格的质量认证测试，一旦受到客户的认可和规模化使用后，双方将形成长期稳定的合作关系。

  自创立以来，公司汇聚了国内外优秀的技术和管理专家，积累了丰富的产品研究开发和营销经验，经过多年的摸索和融合，逐渐建立了符合自身发展的管理理念和管理体系。公司在日常管理中采用了关键绩效指标管理和综合评分制，会与每个员工明确各自的主要责任，并以此为基础设立相应的业绩衡量指标。从管理架构上，公司采取矩阵式管理。矩阵式管理既保持了产品研究开发及售后维护的专业性，逐步的提升和积累技术能力，又能明确项目的责任人和各成员的分工和目标，以确保相应任务高质量完成。

  公司是一家以高性能功率器件研发与销售为主的技术驱动型半导体企业，根据中华人民共和国国家统计局发布的《国民经济行业分类（GB/T4754-2017）》，公司所处行业为“计算机、通信和其他电子设备制造业”（C39），所处行业属于半导体行业中的功率半导体细分领域。

  在功率半导体发展过程中，20世纪50年代，功率二极管、功率三极管面世并应用于工业和电力系统。20世纪60至70年代，晶闸管等半导体功率器件加快速度进行发展。20世纪70年代末，平面型功率MOSFET发展起来。20世纪80年代后期，沟槽型功率MOSFET和IGBT逐步面世，半导体功率器件郑重进入电子应用时代。20世纪90年代，超级结MOSFET逐步出现，打破了传统硅基产品的性能限制以满足大功率和高频化的应用需求。对国内市场而言，功率二极管、功率三极管、晶闸管等分立器件产品大部分已实现国产化，而功率MOSFET特别是超级结MOSFET、IGBT等高端分立器件产品由于其技术及工艺的复杂度，还较大程度上依赖进口，未来进口替代空间巨大。根据Omida、国信证券研究所数据，全球功率半导体市场规模预计将由2022年的481亿美元增长至2023年的503亿美元。预计2024年市场规模将达到532.19亿美元；其中中国功率半导体市场规模，预计在2024年将达到195.22亿美元，占全球市场约为36.68%。

  目前国内功率半导体产业链正在日趋完善，技术也正在取得突破。同时，中国也是全球最大的功率半导体消费国。根据Omdia、国信证券研究所预测：2022年中国功率半导体市场规模达到114.77亿美元，预计至2026年市场规模将增长至131.76亿美元，2019-2026的年化复合增长率为4.7%，占全球市场比例接近37%。

  功率半导体器件属于特色工艺产品，不同于集成电路产品依赖尺寸，在制程方面不追求极致的线宽，不遵守摩尔定律。功率半导体器件的性能演进呈现平缓的趋势，目前制程基本稳定在90nm-0.35μm之间。功率器件发展的关键点最重要的包含技术创新、制造工艺升级、封装技术及基础材料的迭代。

  目前，半导体企业采用的经营模式可大致分为IDM模式和Fabless模式。IDM模式为垂直整合元件制造模式，系早期半导体企业广泛采用的模式，采用该模式的公司能够独立完成芯片设计、晶圆制造、封装和测试等各垂直的生产环节。Fabless模式指无晶圆厂模式，采用该模式的企业专注于芯片的研发设计与销售，将晶圆制造、封装、测试等生产环节外包给第三方晶圆制造和封装测试企业完成。IDM模式具有技术的内部整合优势，有利于积累工艺经验，形成核心竞争力。随着芯片终端产品和应用的日益繁杂，芯片设计难度快速提升，研发所需的资源和成本持续增加，促使全球半导体产业分工细化，Fabless模式已成为芯片设计企业的主流经营模式之一。另外由于半导体行业的周期性，IDM公司极容易受制于原有固定产能，陷入被动局面。因此，行业整体呈现IDM模式与Fabless模式共存的局面，同时也是功率半导体企业商业模式未来的发展趋势，既能随市场波动及时扩大或减少产能，也可以就近满足区域性市场需求。

  新能源汽车正在蒸蒸日上中，新机遇正在不断涌现，以车载电子、光伏逆变及储能为代表的多细分应用场景需求趋于多元化。功率半导体企业从主要营业产品系列具体到料号、规格、电压、电流、面积、导通电阻、封装、技术特点及应用领域，可交叉组合形成数千种产品型号。功率半导体产品由于按照每个客户定制要求所产生的细分需求多样化，因而企业想要在行业内获得足够的市场竞争力，对于特色化工艺平台的定制化能力有一定的要求极高。

  功率半导体器件的研发、设计需要企业研发团队综合掌握器件结构、晶圆制造工艺、封装测试等多领域的技术。在功率半导体器件中，超级结MOSFET、高性能IGBT、高性能SGTMOSFET、SiCMOSFET及GaNHEMT的技术门槛较高。上述这些功率器件中，器件的性能一方面能够通过改进核心器件结构的设计来提升性能，另一方面能够最终靠改进制造工艺或材料来达到目的。作为Fabless设计企业，研发设计人员一方面需持续跟踪掌握国际先进的技术理论、先进工艺方法，另一方面还需不断提出创新的器件结构来实现性能上的大幅提升。

  功率器件不仅要保持在不同电流、电压、频率等应用环境下稳定工作，还需保持在开关损耗、导通损耗、抗冲击能力、耐压、效率等性能上进行平衡，这些性能均需经过大量的仿真设计和流片验证。此外，下游客户不仅对功率半导体的性能和成本提出了差异化的要求，还对产品在各种应用环境下的耐久可靠性提出较高的要求，因此研发设计人员还需掌握不同应用的电路拓扑及可靠性改进方法。因此，企业研发及工程团队需要拥有丰富的技术工艺经验、持续技术创造新兴事物的能力、芯片产业化等能力，才能持续保持市场之间的竞争优势地位。新进入者若缺乏上述的条件，则难以实现持续的业务增长和保持技术上的领先。

  基于多年的技术优势积累、产业链深度结合能力及优秀的客户创新服务能力，公司已成为国内领先的高性能功率半导体厂商之一。

  在超级结MOSFET领域，公司在高压超级结技术领域积累了包括优化电荷平衡技术、优化栅极设计及缓变电容核心原胞结构等行业领先的专利技术，产品的关键技术指标达到了与国际领先厂商可比的水平。

  在中低压屏蔽栅MOSFET领域，公司亦积累了包括优化电荷平衡、自对准加工等核心技术，产品的关键技术指标达到了国内领先水平。

  在IGBT领域，公司的TGBT产品是基于新型的TridentGateBipolarTransistor(简称Tri-gateIGBT)器件结构的重大原始创新，基于此基础器件专利，具备了赶超目前国际最为先进的第七代IGBT芯片的技术实力。

  在SiC领域，公司原创器件结构的基于18V~20V驱动平台的1200VSiCMOSFET完成设计流片、可靠性评估工作，基于15V驱动平台的SiCMOSFET研发工作进展顺利。公司基于自主知识产权的Si2CMOSFET产品克服了传统SiCMOSFET成本高和Vth飘移的缺点，实现了高栅氧可靠性。同时还实现了接近SiCMOSFET的优秀的反向恢复能力，能够取代一部分SiCMOSFET的应用。